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真空镀膜:中温CVD装置

* 来源: * 作者: * 发表时间: 2020-02-25 0:28:14 * 浏览: 1
该装置的成膜温度为600℃至800℃,并且可以制造集成电路中的金属膜,多晶硅膜和各种绝缘膜。这种设备的原理图如图10-27所示。