58棋牌

热线电话:+86-0592-5718001/5718002
Language : 中文版
欢迎来到厦门科睿特仪器有限公司官网!

58棋牌

分子束外延设备概述

* 来源: * 作者: * 发表时间: 2020-03-07 0:24:58 * 浏览: 1
分子束外延技术(MBE)是1970年代国际上发展迅速的技术。它是在真空蒸发工艺的基础上开发的单晶薄膜外延生长的方法。 1969年,分子束外延技术主要由美国的Bell Labs和IBM研究。此外,英国和日本也在进行研究。中国于1975年开始研究。到目前为止,分子束外延设备正变得越来越完善,它已从早期的较简单的实验设备发展到如今的具有多种功能的产品。分子束外延是将构成晶体的成分和掺杂原子(分子)以一定的热运动速度以一定的速率喷射到热的基板上,以在超高真空条件下进行晶体外延生长的方法。与其他液相和气相外延生长方法相比,该方法具有以下特点:①它是在超高真空下进行的干燥工艺。因此,残留气体等杂质的混合少,可以保持表面清洁。 ②生长速度慢(1μm/ h〜10μm/ h),可以任意选择,可以生长超薄且平坦的膜。 ③生长温度低(GaAS在500°C至600°C时产生,而Si在500°C时生长)。 ④在生长过程中,可以同时控制生长层的厚度,组成和杂质分布。生长的表面和界面具有原子平坦度,可以使用适当的技术来生长二维和三维图形结构。 ⑤在同一系统中,可以原位观察单晶薄膜的生长过程,可以分析研究晶体的生长机理,避免了大气污染的影响。因此,利用这些特性,这项新技术得到了迅速发展。其研究领域广泛涉及半导体材料,器件,表面和界面以及超晶格量子效应,并取得了重大进展。分子束外延设备是全面且困难的,涉及诸如超高真空,电子光学,能谱,微弱信号检测和精密加工等现代技术。